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[ml_013] 日本表面真空学会 SP部会第158回定例研究会(6/1)のご案内

対象：会員および一般

速報発信者；沖村邦雄（東海大学，日本表面真空学会SP部会）

日本表面真空学会スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会（SP部会）
第158回定例研究会　テーマ「成膜用プラズマプロセスと先端材料薄膜堆積」

　産業に広く浸透しているスパッタ成膜やプラズマCVD法は，大面積コーティ
ングやフレキシブル基板へのコーティングなど，その応用範囲を広げています．
成膜技術の拡大，進展を支えるのは，プラズマ生成法やプラズマ特性に基づく
膜質制御技術です．
　本研究会ではこれらに関する最新の技術動向を，大学及び国立研究機関から
最前線でご活躍中の講師をお招きして講演して頂きます．また，最新の酸化物
薄膜成長とその応用についてもご講演頂きます．
本研究会に多数の方が参加され，スパッタリングおよびプラズマプロセス分野
の更なる発展，製品化につながる知見が得られることを期待します．
多くの皆様のご参加を心よりお待ち申し上げます．

日　時： 2018年6月1日（金）13:00～16:50（受付12:30～）

場　所：機械振興会館　地下3階　B3-6号室
　　　　（東京都港区芝公園3-5-8）
　　　　 http://www.jspmi.or.jp/about/access.html

講演プログラム：

13:00～13:40　　後藤哲也（東北大学）
「磁場閉じ込め型プラズマCVD装置開発とシリコン窒化膜堆積」

13:40～14:20　　近藤博基（名古屋大学）
「プラズマ支援堆積プロセスにおける活性種の計測・制御とナノ材料・薄膜の制御合成」

14:20～15:00　　島　久（産業技術総合研究所）
「スパッタリングによる酸化物・窒化物薄膜の成膜：デジタルメモリからニューロモ
ルフィック素子への展開」

15:00～15:30　　休憩

15:30～16:10　　中田義昭（情報通信研究機構）
「パワーデバイスへの応用を目指した酸化ガリウムのMBE成長」

16:10～16:50　　大見俊一郎（東京工業大学）
「ECRスパッタ法によるHf系MONOS構造の形成とデバイス応用」

参加費（当日受付にてお支払いください．）：
○日本表面真空学会会員
　・SP部会員　　　　　　　　　　　　　　　　　無　料
　・個人正会員　　　　　　　　　　　　　　　　23,000円
　・法人正会員，維持会員，賛助会員に属する方　18,000円
○教育機関，公的機関に属する方　　　　12,000円
○学　生　　　　　　　　　　　　　　　 5,000円
○一　般　　　　　　　　　　　　　　　　　　　28,000円

申込方法：ホームページよりお申し込みください．
　　　　　 https://www.jvss.jp/

問合せ先：公益社団法人日本表面真空学会事務局
　　　　　 TEL:03-6801-6264　　FAX: 03-3812-2897
　　　　　 E-mail: office@jvss.jp